AG体育

深圳市利盛達科技有限公司 利盛達科技讓電源設計更便捷可靠|聯系電話:13928434054
請輸入料號
P溝道mosfet 因為PMOS是N型硅襯底,其中的多數載流子是電子,少數載流子是空穴,源漏區的摻雜類型是P型,所以,PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓,亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子,而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層,不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響,襯底中感應的正電荷數量就等于PMOS柵上的負電荷的數量。當達到強反型時,在相對于源端為負的漏源電壓的作用下,源端的正電荷空穴經過導通的P型溝道到達漏端,形成從源到漏的源漏電流。同樣地,VGS越負(絕對值越大),溝道的導通電阻越小,電

按廠商進行篩選: TOREX (4) 茂鈿半導體 (3) 威世(Vishay) (3) ANPEC (3) AOS (1)
商品列表
  • 型號
  • 廠商
  • 封裝
  • 功能簡介
  • PDF
總計 17 個記錄,共 1 頁。 第一頁 上一頁 下一頁 最末頁